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氫氧化鋁(ATH)或氫氧化鎂(MH)
作用機理:高溫下分解吸熱(ATH在200℃分解),釋放水蒸氣稀釋可燃氣體,延緩碳化。
添加量:20%~40%(需平衡力學性能)。
優(yōu)化:采用硅烷偶聯(lián)劑(如KH-550)處理填料表面,提升分散性。
硼酸鹽(如硼酸鋅)
優(yōu)勢:形成玻璃態(tài)保護層,阻斷電弧路徑,耐電弧時間可提升50%~***。
納米二氧化硅(SiO?)或氧化鋁(Al?O?):
添加3%~10%可提高表面電阻率,減少電弧追蹤(CTI值提升至≥400V)。
碳納米管(CNT)慎用:雖可分散電弧能量,但過量會降低絕緣性。
氫氧化鋁(ATH)或氫氧化鎂(MH):
添加 20%~40% 可在電弧高溫下分解吸熱(ATH分解溫度≈200℃),釋放水蒸氣稀釋可燃氣體,延緩碳化。
副作用:可能降低力學性能,需配合偶聯(lián)劑(如硅烷)改善分散性。
硼酸鹽(如硼酸鋅):
形成玻璃態(tài)阻隔層,覆蓋碳化路徑,提升耐電弧時間(如從60s提升至120s)。
碳系材料慎用:炭黑或碳纖維會降低體積電阻率,加劇電弧風險。
抗靜電劑選擇:
選用 離子液體型抗靜電劑(如1-乙基-3-甲基咪唑四氟硼酸鹽),在降低表面電阻(10?~101? Ω/sq)的同時,避免碳化。
不清楚
添加耐電弧填料:摻入 Al?O?、滑石粉等無機粉體或石墨烯納米片,提升絕緣性與導熱性;
阻燃體系協(xié)同:復配氫氧化鎂與磷氮系阻燃劑,抑制電弧引發(fā)的熱氧化分解;
極性基團引入:通過馬來酸酐接枝或共聚酰胺結構設計,降低表面漏電趨勢;
成型工藝調控:優(yōu)化注塑壓力與冷卻速率,減少氣孔等缺陷導致的電弧通道;
表面涂層處理:涂覆硅酮類絕緣漆或納米陶瓷層,隔絕電弧侵蝕。
不清楚
不知道