技術(shù)啊

不太懂呢  國產(chǎn)的沒有嗎

幾十年前那么窮，原子彈都能研究出來了。

以前的確比別人落后。我們拭目以待吧。再難的技術(shù)，我們也能克服，早晚能國產(chǎn)化。

技術(shù)跟不上

無知

光刻機又名掩模對準曝光機，曝光系統(tǒng)，光刻系統(tǒng)等。常用的光刻機是掩膜對準光刻。一般的光刻工藝要經(jīng)歷硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對準曝光、后烘、顯影、硬烘、刻蝕等工序。在硅片表面勻膠，然后將掩模版上的圖形轉(zhuǎn)移光刻膠上的過程將器件或電路結(jié)構(gòu)臨時“復(fù)制”到硅片上的過程。

要知道光刻機制造的難度，就得知道光刻機的幾個關(guān)鍵部件：

光源：必須穩(wěn)定、高質(zhì)量地提供***波長的光束

能量控制器：就是電源。電源要穩(wěn)定、功率要足夠大，否則光源發(fā)生器沒辦法穩(wěn)定工作。大、穩(wěn)、同時要考慮經(jīng)濟性能。耗電太高，客戶就用不起。

掩膜版：通俗點理解，相當(dāng)于過去用膠片沖洗照片時的底片。底片如果精度不夠，是洗不出來高精度照片的。光刻機施工前，要根據(jù)設(shè)計好的芯片電路圖制作掩膜板。掩膜板材質(zhì)是石英玻璃，玻璃上有金屬鉻和感光膠。通過激光在金屬鉻上繪制電路圖。精度要求非常高。

透鏡：用透鏡的光學(xué)原理，將掩膜版上的電路圖按比例縮小，再用光源映射的硅片上。光在多次投射中會產(chǎn)生光學(xué)誤差。要控制這個誤差。精度要求很高。

就是測量臺移動的控制器，也是納米級精度，要求超高。

荷蘭的ASML公司壟斷了高端光刻機。但其透鏡來自德國的蔡司，自己也做不了。光源是美國的Cymer。所以說它也不是完全技術(shù)獨立。主要是技術(shù)難度太大。

資金上的困難

光刻機由于技術(shù)難度大，研發(fā)資金投入巨大，以至于佳能和索尼都虧損嚴重，已經(jīng)停止研發(fā)，退出未來技術(shù)的競爭。荷蘭的ASML，為了籌集資金，同時也是進行上下游利益捆綁，研發(fā)風(fēng)險共擔(dān)，邀請英特爾、三星和臺積電出資，做自己的大股東。ASML實際上是美、日、韓、德等共同投資的項目，資金充裕。

中國也在此方面有長期投入，但投入水平和不能和多國合作同日而語。中國有相對寬裕的研發(fā)資金，也才是最近7、8年的事情，而光刻機的研發(fā)，10年都顯然不夠。

我們能不能也參與到荷蘭的ASML的研發(fā)中呢？是不行的。因為發(fā)達國家之間，由美國牽頭，搞了個《瓦森納協(xié)定》，專門對中國進行技術(shù)禁運，技術(shù)封鎖的。我們也買不到荷蘭的ASML***的光刻機，更別說參股和技術(shù)合作了。

目前我們還在追趕，量產(chǎn)的是上海微電子的90納米的，離ASML的10 納米的差距很大。下一步，隨著長春光機所的極紫外光技術(shù)的突破，有望沖擊22-32納米的技術(shù)。那時荷蘭可能進入7納米時代。雖然和7納米還有很大差距，但如果能實現(xiàn)，進步也是驚人的。如果能做出量產(chǎn)型，就是***的水平了。

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哈哈。。。首先看看技術(shù)難度嘍，再就是看看有錢賺沒。
光盤刻錄機以前好像國內(nèi)是有的，現(xiàn)在著東西還有人用么？？不是淘汰了么？

核心技術(shù)的困擾